Transistor MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 44 A 100 V, 8 broches

Description

Le transistor MOSFET de puissance à canal N à niveau logique OptiMOSTM 5 d’Infineon est doté d’une tension de source de drain (VDS) de 100 V et d’un courant de drain (ID) de 44 A. Les MOSFET de puissance à niveau logique conviennent parfaitement aux applications de charge, d’adaptateur et de télécommunication. La faible charge de grille du dispositif réduit les pertes de commutation sans compromettre les pertes de conduction. Les transistors MOSFET de niveau logique permettent des opérations à des fréquences de commutation élevées et, en raison d’une faible tension de seuil de grille, peuvent être commandés directement à partir de microcontrôleurs.