Description
La conception Infineon de la technologie de silicium MOSFET de puissance HEXFET ® avec l’emballage Advanced Direct FETTM pour obtenir la plus faible résistance à l’état passant dans un boîtier qui a l’encombrement d’un profil SO-8 et de seulement 0,7 mm. Le boîtier DirectFET est compatible avec les géométries de disposition existantes utilisées dans les applications de puissance, l’équipement d’assemblage de CI et les techniques de soudage à la vapeur, infrarouge ou à convection, lorsque la note d’application AN-1035 est suivie concernant les méthodes et les processus de fabrication.
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