Description
Le transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) d’ON Semiconductor est un transistor MOSFET à canal N avec une tension de drain à la source de 650 V et une dissipation de puissance de 176 W, boîtier TO247-3L, ce dispositif est sans halogène et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a, sans plomb 2LI.
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